NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務(wù),為社會繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.
現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標(biāo)而努力.
日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振經(jīng)營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社已經(jīng)建立和正在推動一項中期計劃的具體減排目標(biāo),以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因.它也有助于減少（抑制）CO2排放量,通過使用最先進(jìn)的技術(shù),實現(xiàn)最小化,以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗,以支持社會的需要.
日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振的新概念的溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件.通過產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績效的舉措.制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—這些是倡議的支柱.
NDK晶振,32.768K晶振,NX3215SA晶振,NX3215SE晶振,NX3215SA-32.768K-STD-MUA-8晶振,我司主要代理日本進(jìn)口石英晶體諧振器,愛普生晶振,KDS晶體,西鐵城晶振,精工晶體,日本進(jìn)口的32.768KHz系列晶振產(chǎn)品多元化,外觀尺寸有多項選擇,并且支持無源以及有源晶振應(yīng)用,有一個很棒的是幾個知名晶振品牌之間產(chǎn)品可以交替替換,比如愛普生的FC-135,西鐵城的CM315D,精工的SC-32S晶振,KDS的DST310S這四款的32.768K外觀尺寸3.2*1.5*0.75mm均是一致,產(chǎn)品頻率,精度,負(fù)載都可以達(dá)到相同,所以消費者在使用方面得到很到的保障,這幾款產(chǎn)品本身使用無鉛化,卷帶SMD包裝,產(chǎn)品一般應(yīng)用在智能手機(jī),控制模組,GPS導(dǎo)航模塊,小型藍(lán)牙對接產(chǎn)品等設(shè)備.
晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
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NDK晶振規(guī)格 |
單位 |
NX3215SA晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40℃~+85℃, -40°C ～ +125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃, -40°C ～ +125°C, |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
6pF ,9PF,12.5PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
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NDK晶振規(guī)格 |
單位 |
NX3215SE晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ～ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
6pF ,9PF,12.5PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
NX3215SA晶振尺寸圖:
NX3215SE晶振尺寸圖:
在使用NDK晶振時應(yīng)注意以下事項:
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.NDK晶振,32.768K晶振,NX3215SA晶振,NX3215SE晶振,NX3215SA-32.768K-STD-MUA-8晶振
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
愛普生晶振,貼片晶振,MC-30A晶振,MC-30AY-32.7680K-A3晶振
ECLIPTEK晶振,32.768K晶振,E8WSDC12-32.768K晶振,E8WSDC晶振
KDS晶振,32.768K晶振,DMX-38晶振
精工晶振,貼片晶振,SP-T2A-F晶振,Q-SPT2S0327620C5DJ晶振
高利奇晶振,32.768K晶振,GSX-200晶振