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首頁 NDK晶振

NDK晶振,VCXO晶振,NV5032S晶振,壓控晶體振蕩器

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產(chǎn)品簡介

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

產(chǎn)品詳情

NDK-1


yijin-1


yijin-2

NDK晶振型號

NV3225SA晶振

輸出頻率范圍

1.25~80MHz

標準頻率

19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz

電源電壓范圍

+1.68~+3.5V

電源電壓(Vcc)

+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V

消耗電流

+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz)

待機時電流

-更多詳細參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/

輸出電壓

0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled)

輸出負載

10kΩ//10pF

頻率穩(wěn)定度

常溫偏差

±1.5×10-6max.(After 2 reflows)

溫度特性

±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-55~+125℃(Option)

電源電壓特性

±0.2×10-6max.(VCC±5%)

負載變化特性

±0.2×10-6max.(10kΩ//10pF±10%)

長期變化

±1.0×10-6max./year

頻率控制

控制靈敏度

±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V@VCC=+1.8V

頻率控制極性

正極性

yijin-3


NDK電壓控制晶體振蕩器型號

NDK壓控晶振型號

尺寸大小
(mm)

頻率范圍
(MHz)

輸出規(guī)格

頻率
偏差

電壓
(V)

L

W

H

Min.

Max.

[×10-6]

[VCC]

NV5032SB晶振

5.0

3.2

1.2

1.25

62

CMOS

±50

+3.3

NV5032SA晶振

5.0

3.2

1.2

62

170

CMOS

±50

+3.3

NV5032SC(低相位噪聲)

5.0

3.2

1.2

100

200

LVPECL

±50

+3.3

NV7050SF壓控晶振

7.0

5.0

1.6

1.25

62

CMOS

±50

+3.3

122.88

NV7050SA貼片晶振

7.0

5.0

1.6

62

170

CMOS

±50

+3.3

NV7050SA(低相位噪聲)

7.0

5.0

1.6

100

200

LVPECL

±50

+3.3

NV7050SA(高溫范圍)

7.0

5.0

1.6

122.88

122.88

LVPECL

±50

+3.3

NV7050SA壓控振蕩器

7.0

5.0

1.6

80

170

LVPECL

±50

+3.3

NV13M08YK晶振

13.8

8.9

4.1

75

800

LVPECL

±50

+3.3

NV13M09WN晶振

13.8

9.2

2.8

75

800

LVPECL

±50

+3.3


yijin-4在使用NDK晶振時應注意


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