NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務(wù),為社會繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.
現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標(biāo)而努力.
日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振經(jīng)營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售.
NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振,差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達(dá)到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術(shù)石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點(diǎn).差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
NP5032SA差分晶振規(guī)格表
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NDK晶振型號 |
符號 |
NP5032SA晶振 |
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輸出規(guī)格 |
- |
LV-PECL |
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輸出頻率范圍 |
fo |
100~1700MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-55~+125℃ |
|
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃,-40~+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
45mA max. (fo≦170MHz) |
|
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負(fù)載 |
Load-R |
50Ωto VCC-2V |
|
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
VCC-1.81~VCC-1.62V |
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1電平電壓 |
VOH |
VCC-1.025~VCC-0.88V |
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上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.5ns max. [20?80% Output, OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
- |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
- |
|
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
- |
|
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
- |
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交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
-更多詳細(xì)參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/ |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP5032SB差分晶振規(guī)格表
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NDK晶振型號 |
符號 |
NP5032SB晶振 |
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輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
100~170MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
|
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃,-40?+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω(Output-OutputN) |
|
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
|
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125~1.375V |
|
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP5032SC差分晶振規(guī)格表
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NDK晶振型號 |
符號 |
NP5032SC晶振 |
|
輸出規(guī)格 |
- |
HCSL |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
100~170MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
|
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃,-40~+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
30mA max. (fo≦170MHz), |
|
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負(fù)載 |
Load-R |
50Ω |
|
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
-0.15~0.15V |
|
1電平電壓 |
VOH |
0.58~0.85V |
|
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.5ns max. [0.175~0.525V Level] |
|
差分輸出電壓 |
⊿VOD1, VOD2 |
- |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
- |
|
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
- |
|
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
- |
|
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
250~550mV |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用NDK晶振時應(yīng)注意以下事項(xiàng)：
晶振在使用過程中需要注意哪些事項(xiàng),晶振產(chǎn)品在使用過程中產(chǎn)生不良都有那些原因照成的,如果石英晶振產(chǎn)生了不良我們又該怎么處理,怎么去預(yù)防在以后的生產(chǎn)過程中確保品質(zhì)不在出問題.
大家都知道晶振其實(shí)分為很多的類別,比如陶瓷諧振器,以及石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,那么石英晶體振蕩器又稱呼為有源晶振,何為有源晶振?
有源的意思就是帶有電壓功能,是只產(chǎn)品在使用過程中首先需要通過電壓起振,一般有源晶振的電壓在3.3V-5V之間.其實(shí)有源晶振在細(xì)分的情況下又能分成壓控振蕩器（VCXO）以及溫補(bǔ)晶振(TCXO)這兩者又可以合并為壓控溫補(bǔ)晶振（VC-TCXO）,壓控晶振的原理簡單的說就是產(chǎn)品在工作過程中有一個電壓穩(wěn)定控制功能,當(dāng)石英晶振在使用過程中遇到電壓變大或者變小的情況下,產(chǎn)品可以在自帶電壓功能的情況下把電壓控制在可接受范圍,以及控制振蕩器的PPM精度,不超出在需要的頻率內(nèi),使其能夠穩(wěn)定的給CPU提供精準(zhǔn)信號,這就是壓控振蕩器的主要特點(diǎn).NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振
那么溫補(bǔ)晶振（TCXO）又有什么特點(diǎn),溫補(bǔ)晶振簡單的來說就是在工作過程中起到溫度補(bǔ)償功能,那怎么個溫度補(bǔ)償法呢？其實(shí)原理跟壓控振蕩器一樣,比如說溫補(bǔ)晶振電壓有1.6V-1.8V-2.2V-2.8V-3V-3.3V-5V等幾款常用電壓.溫補(bǔ)晶振在工作過程中如果遇到了溫度變化很大的情況下,那這個時候溫度補(bǔ)償就起作用了,比如說溫補(bǔ)晶振的基本精度要求是0.5PPM,常溫要求是2ppm,那如果低溫超出的常溫的情況下,晶體的溫補(bǔ)功能就會把精度控制在一定的范圍內(nèi),使精度變化在一個要求值的范圍,穩(wěn)定在高精度要求內(nèi)給CPU提供穩(wěn)定的信號.
IDT晶振,差分晶振,XUL晶振
Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振
EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振,VG3225VFN晶振
TXC晶振,差分晶振,BF晶振,BFA2500001晶振
低相位抖動差分NP5032SA-100MHZ-NSC5400B晶振,日本進(jìn)口NDK6G路由器晶振