高利奇晶振公司自1990年我們成立以來,一直享有空前的成功.經過多年的持續(xù)增長,高利奇公司晶振現在是英國領先的頻率控制產品供應商.這一增長是通過保持我們對客戶的需求以及努力達到并超越他們的努力來實現的.高利奇公司晶振總部位于英格蘭西南部腹地的一個美麗的農場建筑,向全世界50多個國家出口,占收入的60%以上.
高利奇晶振公司是全球電子工業(yè)生產頻率控制產品的主要供應商.所生產的產品范圍包括:
石英晶體,振蕩器,實時時鐘,溫補晶振,壓控晶振,溫控晶振,水晶過濾器,(表面聲波)設備等.產品廣泛應用于電子工業(yè),包括電信、衛(wèi)星、微處理器、航空航天、汽車、儀表和醫(yī)療應用.
高利奇晶振公司專業(yè)和高效的方法使之成為世界上許多領先的電子oem和CEMs的首選供應商.專用IT人員確保操作得到最高質量和安全系統的支持.高利奇是英國增長最快的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體頻率產品供應商.我們在競爭市場上的持續(xù)成功是對我們產品質量和卓越服務的敬意.電子和技術相關產業(yè)正在迅速發(fā)展.在技術進步和商業(yè)世界的發(fā)展中,高利奇有足夠的資源和靈活性來支持客戶的需求.
高利奇晶振的理念始終是以產品質量和服務的一致性為基礎的.多年來,我們一直努力保持我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器在頻率控制市場的最前沿.我們非常重視與我們的生產伙伴建立的關系,每一個都精心挑選,以滿足他們對客戶服務和產品質量標準的承諾.
我們能夠支持客戶最復雜和最苛刻的需求.讓我們有別于其他石英晶振晶體供應商是我們的員工的經驗和能力.我們的業(yè)務團隊是行業(yè)中經驗最豐富、知識最豐富的團隊之一,能夠為客戶提供友好、專業(yè)的建議和高效的服務.
高利奇石英晶振公司深入貫徹落實科學發(fā)展觀,牢固樹立安全發(fā)展理念,強化責任,狠抓落實,加強防范,堅決遏制重特大事故發(fā)生.
要毫不松懈地抓好壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、貼片晶振,有源晶體、安全環(huán)保工作,堅持把“環(huán)保優(yōu)先、安全第一、質量至上、以人為本”的理念落實到生產建設全過程.
帶動各項安全環(huán)保工作規(guī)范化、程序化、科學化管理,加快實現安全環(huán)保形勢持續(xù)好轉、根本好轉的工作思路.
高利奇石英晶振公司進一步解放思想,學習先進,總結實踐,針對新形勢、新情況,抓好理念創(chuàng)新,促進安全環(huán)保工作更加科學、更加有效.
高利奇晶振,石英晶振,GSCX-26晶振,32.768K石英晶體頻率穩(wěn)定性強,在各種產品中面對不同環(huán)境其晶振都能夠保持在10PPM高精度.具有極強的抗震性能,在常規(guī)的摔落以及物流運輸過程中都不會受到影響.每一批生產的晶振在出廠時都會經過嚴格的檢驗,采用24小時老化測試為質量嚴格把關.
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高利奇晶振規(guī)格 |
單位 |
GSCX-26晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
30KHZ~165KHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ～ +125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ～ +85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
12.5pF ～ ∞ |
不同負載要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
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在使用Golledge晶振時應注意以下事項：
以下是石英晶振電路設計匹配問題：
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：
線路連接的電阻（R）與晶體串聯
（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果高利奇晶振的參數是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：
降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.高利奇晶振,石英晶振,GSCX-26晶振
當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下-電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.
Raltron晶振,32.768K晶振,R26-32.768-12.5-EXT-SMD-TR晶振