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EPSON晶振,貼片晶振,FA1210AN晶振,超小型SMD晶體

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產(chǎn)品簡介

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.tact us for inquiries.

產(chǎn)品詳情

EPSON-2

愛普生株式會社EPSON晶振愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON YOCOM)1942年成立時是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO.19962月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時員工人數(shù)就達(dá)2000,總投資4.055億美元,公司占地200,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).

EPSON晶振盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.

根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù)、材料和產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性.

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EPSON晶振,貼片晶振,FA1210AN晶振,超小型SMD晶體,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT .其它切型還有 CT、DT、GT、NT .超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.

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愛普生晶振規(guī)格

單位

FA1210AN晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

24MHZ~54MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

6pF ,10PF,12PF,20PF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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FA1210AN 1.2x1.0

yijin-4

在使用愛普生晶振時應(yīng)注意以下事項:

1.激勵功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?/span> .

2.負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加.EPSON晶振,貼片晶振,FA1210AN晶振,超小型SMD晶體

3.負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容.

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