鴻星晶振的產(chǎn)品作為一個(gè)健康的心為客戶工作,因此我們投資建立一個(gè)有能力的團(tuán)隊(duì)和基礎(chǔ)設(shè)施,為我們所做的每一個(gè)產(chǎn)品.公司建立平臺(tái)有機(jī)的學(xué)習(xí)鼓勵(lì)跨職能團(tuán)隊(duì)的工作保持更好的環(huán)境和溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器技術(shù)改進(jìn).
環(huán)保理念：
鴻星晶振科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù).
1.為環(huán)境保護(hù)和降低成本開發(fā)綠色技術(shù).
2.為協(xié)調(diào)發(fā)展,共同參與社會(huì)的環(huán)境、健康與安全的改善活動(dòng).
3.在產(chǎn)品的整個(gè)生命周期內(nèi)確定、評(píng)價(jià)和改進(jìn)重要的環(huán)境、健康和安全因素.
4.建立和維護(hù)以國(guó)際協(xié)定和國(guó)家環(huán)境、健康與安全法律法規(guī)為基礎(chǔ)的企業(yè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn).
5.為防止事故的發(fā)生和制造清潔的生產(chǎn)環(huán)境,開發(fā)生產(chǎn)過程的安全技術(shù),明確緊急狀態(tài)反應(yīng)的職責(zé).
HOSONIC晶振,差分晶振,D7ST晶振,HXO-T3晶振,差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動(dòng)差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點(diǎn),差分晶振的頻率相對(duì)都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱為“低抖動(dòng)振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲(chǔ)存溫度非常寬,客戶實(shí)驗(yàn)證明工作溫度可以到達(dá)低溫-50度高溫到100度,頻率穩(wěn)定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動(dòng)晶振能達(dá)到1V,起振時(shí)間為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法.如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則（曲率半徑公式的計(jì)算）.
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鴻星晶振型號(hào) |
符號(hào) |
D5ST晶振 |
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輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
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輸出頻率范圍 |
fo |
25~156.25MHz |
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電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
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頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
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運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃ ,-40~+85℃ |
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消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
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待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
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輸出負(fù)載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形對(duì)稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
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0電平電壓 |
VOL |
-更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
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1電平電壓 |
VOH |
- |
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上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
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差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247?0.454V |
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差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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補(bǔ)償電壓 |
VOS |
1.125~1.375V |
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補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
- |
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OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
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輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
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周期抖動(dòng)（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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總抖動(dòng)（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
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相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用鴻星晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
儲(chǔ)存條件和水分
石英晶體振蕩器是密封裝置,因此,沒有濕氣進(jìn)入其腔內(nèi)包.由于處理?xiàng)l件和預(yù)生產(chǎn)條件在JEDEC中定義J-STD-020只適用于非密封裝置,它們基本上不適用于石英晶體組件.
然而,應(yīng)避免在炎熱和潮濕的條件下長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存石英晶振,石英晶體振蕩器.因此,我們建議將振蕩器存儲(chǔ)在MSL級(jí)別2的條件下避免元件觸針的輕微氧化.帶有鍍金接觸墊的SMD振蕩器甚至不易受到焊盤氧化和存儲(chǔ)的影響可以應(yīng)用根據(jù)MSL級(jí)別1的溫度和濕度條件.HOSONIC晶振,差分晶振,D7ST晶振,HXO-T3晶振
在石英貼片晶振存儲(chǔ)期間,存儲(chǔ)條件不應(yīng)超過溫度限制在目錄或數(shù)據(jù)表中指定.請(qǐng)注意,儲(chǔ)存溫度范圍適用于僅限組件.最好將儲(chǔ)存溫度保持在+10℃+45℃（50°F~115°F）及以下只要組件被包裝和卷繞,60％RH.
如果晶體振蕩器長(zhǎng)時(shí)間存放或存儲(chǔ)條件不合適,則之前請(qǐng)使用請(qǐng)確保水晶組件仍然符合其規(guī)格視覺和電氣檢查.
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