基于安裝在用于電路研究的電路板上的晶振晶體單元的振蕩頻率(具有指定的負載電容CL),找到安裝在目標(biāo)板上時與振蕩頻率的偏差.偏差量稱為“振蕩頻率差”.

1、室溫下的晶振頻率差異

首先,我們將在此解釋常溫條件下石英晶體振蕩頻率的差異.振蕩頻率的差異由等式dF/F表示.振蕩頻率差異的細節(jié)在等式(1)中給出.(有關(guān)每個符號的內(nèi)容,請參見下文.)

dF：電路上的晶體振蕩器振蕩頻率與參考頻率

F之間的差值：參考頻率

a：指定負載電容下的晶體振蕩器振蕩頻率CL

b：電路上的晶體振蕩器振蕩頻率

應(yīng)注意,標(biāo)準(zhǔn)F(等式(1)中的a的數(shù)字)不是標(biāo)稱頻率.

以下是振蕩頻率的差異如何根據(jù)參考F是a還是標(biāo)稱頻率而不同的示例.

晶體振蕩器標(biāo)稱頻率：25.000000MHz

a：25.000100MHz

b：25.000075MHz

在上述情況下,振蕩頻率的差異如下.

(A)：當(dāng)參考F為a時：(B)：當(dāng)參考F為標(biāo)稱頻率時：NDK晶振在電路研究中使用的振蕩頻率的差值為(A).

2、考慮晶振頻率容差時

考慮到石英晶體單元的乘積之間的頻率變化,即室溫下的頻率容差,為了知道振蕩頻率的準(zhǔn)確性,使用通過方法①獲得的值.添加單項的頻率容差.在考慮產(chǎn)品之間的頻率變化的條件下振蕩頻率的精度由等式(2)表示.

(例1)

·振蕩頻率差：+10ppm

·單晶單元的頻率容差：±30ppm以內(nèi)·②代入+10ppm±30ppm=-20ppm~+40ppm.

3、在考慮晶振頻率容差和晶振頻率溫度特性時

為了在考慮產(chǎn)品之間的頻率變化的同時知道SMD晶振溫度變化時振蕩頻率的準(zhǔn)確性,僅將晶體單元的頻率溫度特性加到通過方法②獲得的值.你考慮到產(chǎn)品之間的頻率變化,在溫度改變的條件下振蕩頻率的精度由等式(3)表示.

(例2)

·振蕩頻率差：-10ppm

·單晶單元的頻率容差：±40ppm以內(nèi)·單晶單元的頻率溫度特性：±50ppm以內(nèi)(保證工作溫度范圍內(nèi))

·代入③然后,-10ppm±40ppm±50ppm=-100ppm至+80ppm