與石英晶體器件不同,硅MEMS振蕩器采用現(xiàn)代封裝技術(shù).MEMS振蕩器由安裝在高性能可編程模擬器頂部的MEMS諧振器芯片組成振蕩器IC,采用標準低成本塑料SMD晶振封裝,與腳印兼容石英器件.為了滿足超小型應用的空間要求,SiTime MEMS振蕩器提供超小型CSP（芯片級封裝）.MEMS振蕩器基于可編程允許定制功能的架構(gòu),包括晶振頻率,電源電壓和其他功能.

通過集成實現(xiàn)小型化,更小的封裝尺寸和電路板布局靈活性

SiTime振蕩器提供更高的集成度,新的封裝選項和其他可實現(xiàn)尺寸的功能減少.SiT15xx32 MEMS定時解決方案旨在取代傳統(tǒng)的石英晶體空間和電力至關(guān)重要的移動,物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴應用.這些設備可用于2.0x1.2mm（2012）SMD封裝,適用于需要晶體（XTAL）諧振器兼容性的設計.SiT15xx 2012振蕩器的中心區(qū)域之間有電源（Vdd）和接地（GND）引腳兩個大的XTAL焊盤,如圖1b所示.

對于更小的尺寸,SiT15xx器件采用CSP（圖1a）,可減少占用空間與現(xiàn)有的2012 SMD晶體封裝相比,降至80％,比1610晶振（1.6x1.0）小60％mm.

由于SiTime的制造工藝,另一個選擇是能夠?qū)崿F(xiàn)將MEMS諧振器芯片與封裝內(nèi)的SOC,ASIC或微處理器芯片集成在一起.這個選項消除了外部定時組件,并提供最高級別的集成和尺寸減小.由于石英晶體諧振器的限制,石英供應商無法提供CSP或集成解決方案.

圖1：與石英XTAL相比,32kHz MEMS XO和TCXO的封裝尺寸和引腳位置

與石英晶體不同,SiT15xx輸出直接驅(qū)動芯片組的XTAL-IN引腳,消除了需要輸出負載電容,如圖2所示.因為可以驅(qū)動時鐘信號跟蹤,它不需要放在芯片組附近.這個功能,結(jié)合超低外形（0.55mm高）,可實現(xiàn)電路板布局的靈活性和額外的空間優(yōu)化.此外為了消除外部負載電容,SiT15xx晶振具有消除的特殊電源濾波功能需要一個外部Vdd旁路去耦電容,進一步簡化了電路板設計并簡化了aturization.內(nèi)部電源濾波旨在通過5MHz抑制高達±50mVpp的噪聲.

圖2：與石英XTAL和所需電容器相比,32kHz MEMS XO和TCXO的總占位面積