SiTime的AEC-Q100汽車級(jí)TCXO晶振基于Elite Platform™,旨在提供更高的動(dòng)態(tài)性能,可靠性和堅(jiān)固性,使其成為自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的理想選擇.這些1至220MHz精密器件在-40℃至105℃的AEC-Q100 2級(jí)溫度下具有嚴(yán)格的穩(wěn)定性(±0.1ppm至±2.5ppm),可解決惡劣汽車環(huán)境中的根深蒂固的時(shí)序問(wèn)題.
SiTime的汽車級(jí)TCXO晶振具有以下優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)：
具有比TCXO溫補(bǔ)石英晶體振蕩器更好的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性(1ppb/℃ΔF/ΔT)
可抵抗氣流和熱沖擊
AEC-Q100 2級(jí)-40℃至105℃,適用于高溫環(huán)境
行業(yè)最佳G靈敏度為0.1ppb/g
10,000g時(shí)抗沖擊性更好,70g時(shí)抗振性更好
MTBF超過(guò)10億小時(shí)(<1 FIT)的可靠性更高
Sitime Crystal的汽車級(jí)TCXO晶振型號(hào)列表
|
型號(hào) |
頻率 |
穩(wěn)定(PPM) |
輸出類型 |
電源電壓(V) |
溫度范圍(°C) |
包裝尺寸(mm2) |
|
SiT5186 |
1~60MHz |
±0.5 ±1 ±2.5 |
LVCMOS截?cái)嗾也?/span> |
2.5 2.8 3 3.3 |
-20至70(4級(jí)) -40至85(3級(jí)) -40至105(2級(jí)) |
5.0x3.2 |
|
SiT5187 |
60~220MHz |
±0.5 ±1 ±2.5 |
LVCMOS |
2.5 2.8 3 3.3 |
-20至70(4級(jí)) -40至85(3級(jí)) -40至105(2級(jí)) |
5.0x3.2 |
|
SiT5386 |
1~60MHz |
±0.1 ±0.2 ±0.25 |
LVCMOS截?cái)嗾也?/span> |
2.5 2.8 3 3.3 |
-20至70(4級(jí)) -40至85(3級(jí)) -40至105(2級(jí)) |
5.0x3.2 |
|
SiT5387 |
60~220MHz |
±0.1 ±0.2 ±0.25 |
LVCMOS |
2.5 2.8 3 3.3 |
-20至+70(4年級(jí)) -40至+85(3年級(jí)) -40至+105(2年級(jí)) |
5.0x3.2 |
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