日本大真空晶體不愧為日本晶振行業(yè)的領(lǐng)頭羊,擁有先進的生產(chǎn)技術(shù),完善的服務(wù)體系,創(chuàng)造了大量優(yōu)異的晶振產(chǎn)品.2017年就有發(fā)布信息稱會在2018年推出幾款超小體積的貼片晶振,這不到了2018年所推出的的除了DX1008JS晶振,還有1008mm超小體積的溫補晶振和SPXO石英晶體振蕩器.下面億金電子要給大家介紹的就是此款DS1008JS晶振全球最小石英晶體振蕩器.
DX1008JS晶振 DS1008JS晶振
如果采用傳統(tǒng)結(jié)構(gòu),產(chǎn)品越小,在將石英晶體元件安裝在封裝中時,越難以確保諸如涂層精度和導(dǎo)電粘合劑的安裝位置之類的余量.而KDS晶振的DS1008JS晶振全球最小石英晶體振蕩器采用精細密封技術(shù)是鍵合技術(shù),KDS晶振集團獨特的生產(chǎn)技術(shù),由晶體和WLP（晶圓級封裝）的三個層的鍵合晶片,常規(guī)的結(jié)構(gòu)等效的氣密性它被實現(xiàn)了.
DS1008JS石英晶體振蕩器由保持單元,而無需使用導(dǎo)電性粘接劑的結(jié)構(gòu)允許所述振動部的整體結(jié)構(gòu),解決了由于體積改小導(dǎo)致的精度不穩(wěn)定,以及導(dǎo)電粘合劑的安裝空間問題,實現(xiàn)了在耐沖擊性的改善.另一方面,DS1008JS晶振采用WLP使生產(chǎn)過程中的處理變得更加容易.此外,通過從清洗晶圓清洗到真空環(huán)境中的粘接,大大降低了質(zhì)量風險.由于AT切割晶體器件的石英晶體器件變得頻率高,厚度薄,因此存在關(guān)于工藝質(zhì)量和生產(chǎn)率的問題.
一個符號
標準值
條件
分鐘。
（典型值）。
最大。
單位
輸出頻率范圍
FO
1
-
100
兆赫
電源電壓
VCC
+1.6
-
+3.6
V
頻率允許偏差
f_tol
-100
-
+100
×10-6
-40至+125°C
-20至+70°C
-50
-
+50
-30
-
+30
-30至+85°C
-20
-
+20
-20
-
+20
-20至+70°C
當前消費
我CC
-
-
1.8
毫安
fo=24MHz，VCC=+1.8V，無負載
待機電流（＃1引腳“L”）
I_STD
-
-
0.01
毫安
輸出負載
L_CMOS
-
-
15
pF的
波形對稱
SYM
45
50
55
％
在50％VCC下，fo<60MHz
上升時間，下降時間
tr，tf
-
-
五
NS
10至90％VCC電平
輸出啟用時間
tPZL
-
-
2
MS
輸出禁用時間
tPLZ
-
-
200
NS
OE引腳1電平輸入電壓
VIH
VCC×0.8
-
-
V
OE引腳0電平輸入電壓
VIL
-
-
VCC×0.2
V
包裝單位（1）
3000pcs./reel(φ180）
項目DS1008JS石英晶體振蕩器
（包括室溫偏差）
（標準工作溫度范圍）
DS1008JS石英晶體振蕩尺寸僅有1.0x0.8x0.24mm,超級薄的厚度,壓倒性的薄型為世界上最小的有源晶振,并非采用傳統(tǒng)結(jié)構(gòu).可提供電源電壓+1.8V~3.3V,具有高頻率1M~100MHZ范圍,工作溫度-30℃~+85℃,具有三態(tài)功能,由于基波AT截止諧振器的非乘法輸出,高達100MHz的低抖動.1008貼片晶振可廣泛用于信息網(wǎng)絡(luò)相關(guān)產(chǎn)品,如高速和大容量高頻率所需的WiFi市場,有望擴展的數(shù)據(jù)中心,移動通信設(shè)備,近場無線模塊,可穿戴設(shè)備,汽車多媒體設(shè)備等.
此外,KDS晶振集團提供一個新的石英晶體器件安裝場景,如SiP模塊,可以通過實現(xiàn)壓倒性的薄形狀進一步擴展,并內(nèi)置到IC封裝中提供價值.另外,因為它可以靈活地對應(yīng)于封裝的端子設(shè)計,所以它是能夠形成包括與引線接合相對應(yīng)的形狀的各種外部端子的產(chǎn)品.
億金電子代理KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,精工愛普生晶振等日本進口晶振品牌,提供全面的石英貼片晶振,多種規(guī)格參數(shù)滿足用戶需求,提供最新的晶振產(chǎn)品信息,如CX1008SB晶振,NX1008AA晶振,8A晶振等,除此之外還有晶振技術(shù)資料,晶振解決方案免費提供用戶查閱,歡迎登入億金官網(wǎng)獲取.
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