電子產(chǎn)品正在向小型,高精度,高度集成化方向發(fā)展,石英晶振產(chǎn)品作為電子產(chǎn)品必不可缺的元器件,它的性能也一直在跟隨著市場需求而不斷提高.幾乎上所有的晶振廠家都在這條道路上堅定而快速的行進(jìn)著.隨著5G,自動駕駛,AI等高端技術(shù)的出現(xiàn),許多晶振廠家紛紛推出具備低相噪性能的石英晶體振蕩器,以滿足5G應(yīng)用設(shè)備對頻率信號的需求.就在今年一月份,NEL晶振就推出了10兆赫/100兆赫精密超低相噪雙通道頻率OCXO參考模塊(DFRM).
DFRM由2個10兆赫和100兆赫的超低相位噪聲OCXO組成.該模塊封裝在一個非常小的密封金屬罐中(“歐洲包”)36x27x25毫米.100兆赫的單元相位/頻率鎖定在10兆赫.(該模塊還提供將100兆赫OCXO鎖定到外部的能力參考文獻(xiàn)5*).低頻OCXO提供了出色的頻率穩(wěn)定性溫度,時間(老化),供應(yīng)和負(fù)載變化以及異常情況接近載波的低相位噪聲和短期穩(wěn)定性(艾倫方差).100MHzOCXO在噪底和高輸出上提供超低相位噪聲力量.
該恒溫晶振的特性如下:
①兩個頻率輸出:10.000兆赫和100.000兆赫
②超低相位噪聲
③偏移1赫茲時,0-115分貝/赫茲;偏移10赫茲時,10兆赫時,0-145分貝/赫茲
④0-123分貝/赫茲(10赫茲偏移),至-178分貝/赫茲(100千赫茲,100兆赫)
⑤±2 ppb的出色溫度穩(wěn)定性
⑥0.25 ppb/天的低老化
⑦出色的短期穩(wěn)定性1秒時ADEV < 1E-12
⑧非常小的密封包裝
這款有源晶振的應(yīng)用范圍如下:
①使用儀器
②高性能合成器
③雷達(dá)
④電信設(shè)備
該有源晶振的部分參數(shù)如下:
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Parameter |
Symb |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Note |
Electrical (6)
|
Frequency |
F10 |
|
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10.000 |
|
MHz |
Pin4 |
|
F100 |
|
|
100.000 |
|
Pin5 |
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|
Frequency stability |
6F/F |
vs. Temp. 4* |
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±20 |
|
ppb |
See chart below |
|
vs. Supply |
|
0.2 |
0.3 |
ppb/10%Vcc |
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Aging |
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per day per year, first year second year |
|
5E-10 5E-8 2E-8 |
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after 30 days 5* |
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SSB Phase Noise |
£(Δf) |
1Hz |
|
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-115 |
dBc/Hz |
10 MHz output 5* |
|
(achieved after 10 |
|
10 Hz |
-145 |
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|
minutes warm-up) |
|
100 Hz |
-157 |
|
|
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|
|
|
1 KHz |
-162 |
|
|
||
|
|
|
10 KHz |
-167 |
|
|
||
|
|
|
100 KHz |
-168 |
|
|
||
|
|
|
1Hz |
|
|
-90 |
dBc/Hz |
100 MHz output, Grade |
|
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|
10 Hz |
-125 |
-123 |
|
“U” 5* |
|
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|
100 Hz |
|
-130 |
|
|
|
|
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|
1 KHz |
|
-160 |
|
|
|
|
|
|
10 KHz |
|
-172 |
|
|
|
|
|
|
100 KHz |
|
-178 |
|
|
|
|
|
|
1MHz |
|
-180 |
|
|
|
|
Retrace |
|
After 30 minutes |
|
|
±10 |
ppb |
24 Hours off 3* |
|
G-sensitivity |
|
worst direction |
|
|
±1.0 |
ppb/G |
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|
Input Voltage |
Vcc |
|
4.75 |
5.0 |
5.25 |
V |
|
|
Power consumption, |
P |
steady state, 25°C |
|
2.2 |
2.5 |
W |
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|
Spectral Purity |
|
Subharmonics |
|
-70 |
-60 |
dBc |
At 100 MHz output |
|
|
10 MHz |
-60 |
-50 |
|
At 100 MHz output |
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|
|
Spurious |
|
-80 |
|
|
||
|
|
Harmonics |
-35 |
-30 |
|
Either output |
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|
Load |
Internally AC-coupled 50 Ohm both outputs |
|
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|
Warm-up time |
y |
to 0.1ppm accuracy |
|
3 |
5 |
minutes |
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Output Waveform |
|
Sinewave |
|
||||
|
Input impedance |
Zin |
At Vc pin |
10 |
|
|
KOhm |
|
|
Modulation bandwidth |
Fm |
|
DC |
|
1 |
KHz |
|
|
Reference Voltage |
Vref |
|
|
4.5 |
|
V |
|
|
Output Impedance |
|
At Vref pin |
|
100 |
|
Ohm |
|
這款石英晶振的相位噪聲圖如下:
以上是該OCXO晶振的部分參數(shù)及介紹,如您想要了解更加詳細(xì)的參數(shù)的話,可以致電給我們,我們將全心全意為您服務(wù).其實(shí)但從上述參數(shù)就能夠看得出這款產(chǎn)品的性能優(yōu)越性.如若不然,它也不能夠被應(yīng)用于雷達(dá),高性能合成器,通信設(shè)備等對性能需求較高的設(shè)備上,這本身就從側(cè)面詮釋了其卓越的功能特性.
SMI晶振,86M0368 -16,86SMX進(jìn)口晶振,6G相關(guān)設(shè)備晶振
日本SMI晶體,53SMX石英晶振,53M320-16,6G基站晶振